Елементи дискретних пристроїв автоматики (Проць Р.В.) Рівень 1 Як залежить степінь насичення транзисторного ключа з спільним емітером від збільшення опору колекторного резисторa Rk ? а) збільшується; б) зменшується; в) не змінюється. Як змінюється коефіцієнт насичення транзисторного ключа зі спільним емітером при зменшенні струму бази транзистора? а) зростає; б) не змінюється; в) зменшується. Чи зростає колекторний струм транзисторного ключа з спільним емітером після досягнення базовим струмом значення струму бази насичення I(н? а) зростає; б) не змінюється; в) зменшується. Як впливає зменшення сталої часу укорочуючого RC- кола на тривалість імпульсів на його виході? а) тривалість збільшується; б) тривалість зменшується; в) тривалість не змінюється. Порівняйте між собою часу сталі часу транзистора (( і ((. а) (( = ((; б) (( > ((; в) (( < ((. Яка загальна кількість різних логічних функцій однієї змінної? а) 2; б) 4; в) 1. Яка загальна кількість різних логічних функцій двох змінних? а) 4; б) 8; в) 16. Які з наведених логічних функцій трьох змінних мають досконалу диз'юнктивну нормальну форму? а)
; б)
; в)
. Яка з наведених логічних функцій трьох змінних має досконалу кон’юктивну нормальну форму? а)
; б)
; в)
. Cкільки клітинок повинно бути в карті Карно для п'яти змінних? а) 16; б) 64; в) 32. Скільки виходів має повний дешифратор з чотирма входами? а) 16; б) 8; в) 14. Яка мінімальна кількість тригерів потрібна для побудови лічильника з модулем лічби 7? а) 2; б) 4; в) 3. Яка мінімальна кількість тригерів потрібна для побудови однієї декади двійково-десяткового лічильника? а) 4; б) 3; в) 5. Скільки адресних входів має мультиплексор, що має 4 входи даних? а) 4; б) 2; в) 16. Скільки виходів має повний шифратор з чотирма входами? а) 4; б) 2; в) 16. Рівень 2 За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а)
; б)
; в)
. Рівень 3 В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,5 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=50, ((=0,2 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,02 мА до значення Іб2=0,6 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=40, ((=0,1 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=0,5 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0 мА до значення Іб2=0,15 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=40, ((=0,5 мкс. Параметри схеми: Ек= 8 В, Rк=1 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,1 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=150, ((=0,5 мкс. Параметри схеми: Ек= 10 В, Rк=2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі н...